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2SK2199 N沟道MOSFET 250V 800mA/0.8A TO-252/TP-FA marking/标记 K2199 低导通电阻/超高速开关/低电压驱动

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage250V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current800mA/0.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3.5Ω/Ohm @400mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.5-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsFeatures Ultrahigh-Speed Switching Applications Low ON resistance Ultrahigh-speed switching Low-voltage drive
描述与应用特性 超高速开关应用 低导通电阻 超高速开关 低电压驱动
规格书PDF
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