我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

2SK1332 N沟道结型场效应管 30v 0.2~0.45mA SOT-323 marking/标记 V3 高正向转移导纳

热销商品

产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage30v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -30v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current0.2~0.45ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.1~1v
耗散功率PdPower Dissipation80mw
Description & Applications•N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR •Compact package • High forward transfer admittance 1000 µS TYP. (IDSS = 100 µA) 1600 µS TYP. (IDSS = 200 µA) • Includes diode and high resistance at G - S
描述与应用•N沟道硅结型场效应晶体管 •小型封装 •高正向转移导纳 1000μs典型值。 (IDSS= 100μA) 1600μs典型值。 (IDSS= 200μA) •包括二极管和高阻力在G ​​- S
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00