我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

2SJ648 P沟道MOS场效应管 -20V 400mA 1.17ohm SOT-523 marking/标记 H1 低导通电阻 超高速开关 2.5V驱动

热销商品

产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-0.4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance1.17Ω @-2A,-4.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.8--1.8V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsFEATURES •2.5 V drive available •Low on-state resistance RDS(on)1 = 1.45 Ω MAX. (VGS = −4.5 V,ID−0.2A) RDS(on)2 = 1.55 Ω MAX. (VGS = −4.0 V, ID = −0.2 A) DS(on)3 = 2.98 Ω MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −0.15 A)
描述与应用•2.5 V驱动器可用 •低通态电阻 的RDS(on)1 =1.45Ω最大。 (VGS= -4.5 V,ID-0.2A) 的RDS(on)2 =1.55Ω最大。 (VGS= -4.0 V,ID= -0.2) DS(上)3=2.98Ω最大。 (VGS= -2.5 V,ID= -0.15)
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00