2SJ599-Z P沟道MOS场效应管 -60V -20A 0.06ohm SOT-252 marking/标记 J599 低导通电阻 高速开关
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -20A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.06Ω @-10A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -1.5--2.5V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 35W |
| Description & Applications | FEATURES • Low on-state resistance: RDS(on)1 = 75 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –10 A) RDS(on)2 = 111 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –10 A) • Low input capacitance: Ciss = 1300 pF TYP. (VDS = –10 V, VGS = 0 V) • Built-in gate protection diode • TO-251/TO-252 package |
| 描述与应用 | 低通态电阻： 的RDS（on）1 =75mΩ最大。 （VGS=-10V，ID=-10 A） 的RDS（on）=111mΩ最大。 （VGS= -4.0 V，ID=-10 A） •低输入电容： 西斯=1300 pF（典型值）。 （VDS= -10 V，V GS= 0 V） •内置栅极保护二极管 •TO-251/TO-252包 |
| 规格书PDF |
