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2SD1819-R NPN三极管 30V 100mA/0.1A 150MHz 210~340 300mV/0.3V SOT-323/SC-70 marking/标记 YR 通用放大

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)25V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)100mA/0.1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)150MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)210~340
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage300mV/0.3V
耗散功率PcPower Dissipation150mW/0.15W
Description & Applications*Silicon NPN epitaxial planer type *For general amplification *Complementary to 2SB1219 and 2SB1219A Features *l Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) *large DC current gain hFE
描述与应用* NPN硅外延平面型 *对于一般的放大 *互补2SB12192SB1219A 特点 * l低集电极到发射极饱和电压VCE(SAT) *大直流电流增益hFE
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