2SD1618T NPN三极管 20V 700mA/0.7A 250MHz 200~400 10mV SOT-89/PCP marking/标记 DAT 低电压高电流放大器
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 15V |
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 700mA/0.7A |
截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 250MHz |
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 200~400 |
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 10mV |
耗散功率PcPower Dissipation | 500mW/0.5W |
Description & Applications | Silicon Transistor Low-Voltage High-Current Amplifier, Features · Low collector-to-emitter saturation voltage. · Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid IC’s. |
描述与应用 | 硅晶体管 低电压高电流放大器, 特点 ·低集电极 - 发射极饱和电压。 ·体积非常小,因此很容易提供高密度,小尺寸的混合集成电路。 |
规格书PDF |