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2SC5824 功率NPN三极管 60V 3A 200MHz 180~390 200mV/0.2V TO-252/CPT3 marking/标记 UPR 低频放大 高速开关

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)60V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)3A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)200MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)120~270
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage200mV/0.2V
耗散功率PcPower Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsPower transistor Features 1) High speed switching. (Tf : Typ. : 30ns at IC = 3A) 2) Low saturation voltage, typically (Typ. : 200mV at IC = 2A, IB = 0.2mA) 3) Strong discharge power for inductive load and capacitance load. !Applications Low frequency amplifier High speed switching Structure NPN Silicon epitaxial planar transistor
描述与应用功率晶体管 特点 1)高速开关。 (TF:典型:30ns的IC=3A) 2)低饱和电压,通常 (典型值200mV的IC=2A,IB =0.2毫安) 3)感性负载和放电功率强 电容负载。 应用! 低频放大器 高速开关 结构 NPN硅外延平面型晶体管
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