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2SC5594 NPN三极管 12V 35mA 24GHz 60~140 SOT-343/CMPAK-4 marking/标记 XP 高频低噪声放大

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)12V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)4.5V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)35mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)24GHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)60~140
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsSilicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier Features • High gain bandwidth product fT = 24 GHz typ. • High power gain and low noise figure ; PG = 18 dB typ. , NF = 1.2 dB typ. at f = 1.8 GHz
描述与应用NPN硅外延 高频低噪声放大器 特点 •高增益带宽积 的fT  =24 GHz的典型。 •高功率增益和低噪声系数; PG=18 dB。 NF=1.2 dB典型值。f =1.8 GHz时
规格书PDF
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