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2SC5007 NPN三极管 20V 65mA 7GHz 120~250 3V SOT-523 marking/标记 35

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) 20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) 10V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) 65mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 7GHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) 120~250
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 3V
耗散功率PcPower Dissipation 125mW/0.125W
Description & Applications Features • SILICON TRANSISTOR • NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD • Low Voltage Use. • High fT :7.0 GHz TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz) • Low Cre : 0.45 pF TYP. (@ VCE = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz) • Low NF : 1.4 dB TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz) • High |S21e|2: 12 dB TYP. (@ VCE = 3 V, IC =7 mA, f = 1 GHz) • Ultra Super Mini Mold Package.
描述与应用 特点 •硅晶体管 •NPN硅外延型晶体管3针超超迷你模具•低电压使用。 •高FT:7.0 GHz的TYP。 (@ VCE= 3 V,IC=7 mA时,F= 1千兆赫) •低CRE:0.45 PF TYP。 (@ VCE=3 V,IE= 0时,F =1兆赫) •低噪声系数:1.4 dB典型值。 (IC= 3毫安,@ VCE= 7 V,F =1吉赫) •高| S21E|2:TYP12分贝。 (@ VCE= 3 V,IC=7 mA时,F= 1千兆赫) •超超级迷你模具包装。
规格书PDF
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