IS43LD16160B-25BLI 1.14V~1.3V -40℃~+85℃|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

IS43LD16160B-25BLI 1.14V~1.3V -40℃~+85℃

库存10000件1起订

购买数量

商品参数

相关型号

商品参数：

型号：IS43LD16160B-25BLI
厂家：ISSI(美国芯成)
批号：25+
整包数量：
最小起批量：1
标记/丝印/代码/打字：
封装：TFBGA-134(10x11.5)
技术文档：

商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
IS43DR16128C-3DBL-TR	IS43DR16128C-3DBL-TR 标记：封装：TWBGA-84(8x12.5)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
W972GG8KS-25	W972GG8KS-25 标记：封装：WBGA-60(8x9.5)	WINBOND(华邦)	批号：25+	10000 起订
IS43TR16128C-15HBLI-TR	IS43TR16128C-15HBLI-TR 标记：封装：TWBGA-96(9x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS46DR16160B-3DBLA2	IS46DR16160B-3DBLA2 标记：封装：TWBGA-84(8x12.5)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43TR16128CL-15HBLI-TR	IS43TR16128CL-15HBLI-TR 标记：封装：TWBGA-96(9x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS46DR16640C-25DBLA2 SDRAM DDR2 400MHz 1.7V~1.9V 100mA	IS46DR16640C-25DBLA2 标记：封装：TWBGA-84(8x12.5)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43DR16640C-3DBLI-TR SDRAM DDR2 400MHz 1Gbit 1.7V~1.9V	IS43DR16640C-3DBLI-TR 标记：封装：TWBGA-84(8x12.5)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43TR16128CL-15HBL	IS43TR16128CL-15HBL 标记：封装：TWBGA-96(9x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订

在线询价：

* 来自：

寄予：: 深圳市爱瑞凯电子科技有限公司

商品：: IS43LD16160B-25BLI

*主题：

详细内容：

*验证码：