IS43DR16640C-3DBLI-TR SDRAM DDR2 400MHz 1Gbit 1.7V~1.9V|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

IS43DR16640C-3DBLI-TR SDRAM DDR2 400MHz 1Gbit 1.7V~1.9V

库存10000件1起订

购买数量

商品参数

相关型号

商品参数：

型号：IS43DR16640C-3DBLI-TR
厂家：ISSI(美国芯成)
批号：25+
整包数量：
最小起批量：1
标记/丝印/代码/打字：
封装：TWBGA-84(8x12.5)
技术文档：

商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
IS43TR16128CL-15HBL	IS43TR16128CL-15HBL 标记：封装：TWBGA-96(9x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43TR16128D-107MBLI SDRAM DDR3 933MHz 2Gbit 1.5V	IS43TR16128D-107MBLI 标记：封装：TWBGA-96(9x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43TR16128C-125KBLI-TR	IS43TR16128C-125KBLI-TR 标记：封装：TWBGA-96(9x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS46DR16160B-25DBLA2	IS46DR16160B-25DBLA2 标记：封装：TWBGA-84(8x12.5)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43LD16320A-25BLI-TR SDRAM DDR 1.14V~1.3V -40℃~+85℃	IS43LD16320A-25BLI-TR 标记：封装：TFBGA-134(10x11.5)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43TR16128CL-125KBLI-TR	IS43TR16128CL-125KBLI-TR 标记：封装：TWBGA-96(9x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43LR32160C-6BL SDRAM DDR 166MHz 1.7V~1.95V -40℃~+85℃	IS43LR32160C-6BL 标记：封装：TFBGA-90(8x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43LR32160C-6BLI-TR SDRAM DDR 166MHz 1.7V~1.95V -40℃~+85℃	IS43LR32160C-6BLI-TR 标记：封装：TFBGA-90(8x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订

在线询价：

* 来自：

寄予：: 深圳市爱瑞凯电子科技有限公司

商品：: IS43DR16640C-3DBLI-TR

*主题：

详细内容：

*验证码：