请先登录
首页
购物车0
库存105000件1起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：TPCP8006
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：11+ROHS 11+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：1
  • 标记/丝印/代码/打字：8006
  • 封装：PS-8
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		  20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		  ±12V
最大漏极电流Id
Drain Current		  9.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State		  VGS = 2.5 V, ID = 4.5 A RDS=9.5~13.7mΩ
VGS = 4.5 V, ID = 4.5 A RDS=6.5~10mΩ
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		  0.5~1.2v
耗散功率Pd
Power dissipation		  0.84w
描述与应用
Description & Applications		  　　东芝硅n沟道MOS场效应晶体管类型(U-MOS IV)
　　笔记本电脑的应用
　　便携式设备的应用程序
　　低漏源极导通电阻:RDS(ON)= 6.5 mΩ(typ)。
　　高向前转移导纳:| yfs | = 36s(typ)。
　　低漏电流:IDSS = 10μA(max)(VDS = 20 V)
　　增强模式:Vth = 0.5~1.2 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
 
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
TPCP8006
*主题：
详细内容：
*验证码：