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  • 型号：SI7123DN-T1-GE3
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：11+rohs 11NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：7123
  • 封装：1212-8
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-16A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.0086Ω @-5.2A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.4V-1.0V
耗散功率PdPower Dissipation3.8W
Description & ApplicationsFEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET Power MOSFET: 1.5 V Rated • Ultra-Low On-Resistance • 100 % Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
描述与应用 •根据IEC 61249-2-21的无卤素 定义 •的TrenchFET 功率MOSFET：1.5 V额定 •超低导通电阻 •100％的Rg 测试 •符合RoHS指令2002/95/EC
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI7123DN-T1-GE3
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