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  • 型号：HN4C51J
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：11+ROHS 11+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：33
  • 封装：SOT-153/SMV
  • 技术文档：下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		  120V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		  120V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		  0.1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		  100MHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		  200~700
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		  0.3V
耗散功率Pc
Power Dissipation		  0.3W
描述与应用
Description & Applications		  特点•东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT的进程）•高电压：VCEO=120V•高HFE：HFE=200〜700•优异的线性度：（IC=0.1毫安）/ HFE（IC=2毫安）=0.95（典型值）•低噪音：NF=1分贝（典型值）•音频通用放大器应用
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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HN4C51J
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