| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 12.5V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 30mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.5-1.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | N-Channel Enhancement type Features Silicon N-Channel MOS FET FM tuner,VHF RF amplifier application Superior inter modulation performance Low noise figure:NF=1.0db(TYP.) |
| 描述与应用 | N沟道增强型 特性 硅N沟道MOS FET FM调谐器，甚高频射频放大器应用 高级互调性能 低噪声系数：NF=1.0分贝（典型值） |