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  • 型号：RW1E014SN
  • 厂家：ROHM
  • 批号：12+ROHS 12+ROHS
  • 整包数量：8000
  • 最小起批量：100
  • 标记/丝印/代码/打字：PN
  • 封装：SOT-563
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		  30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		  ±20V
最大漏极电流Id
Drain Current		  1.4A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State		  ID= 1.4A, VGS= 4V RDS=270~380mΩ
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		  1~2.5v
耗散功率Pd
Power dissipation		  0.7W
描述与应用
Description & Applications		  　4 v驱动Nch MOSFET
　　1)低导通电阻、高开关速度。
　　2)内置g s保护二极管。
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
RW1E014SN
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