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  • 型号：DMN2400UV-7
  • 厂家：DIODES
  • 批号：12+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：24N
  • 封装：SOT-563
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage ±12 V
最大漏极电流IdDrain Current 1.33A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance 0.65Ω~1.5Ω VGS = 1.5V, ID = 50mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage 0.5v~0.9v
耗散功率PdPower Dissipation 530mw/0.53W
Description & Applications DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. * Low On-Resistance. * Low Gate Threshold Voltage. * Low Input Capacitance. * Fast Switching Speed . * Low Input/Output Leakage . * ESD Protected up to 2kV.
描述与应用 双N沟道增强型MOSFET。 *低导通电阻。 *低栅极阈值电压。 *低输入电容。 *开关速度快。 *低输入/输出漏。 *高达2kV的ESD保护。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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DMN2400UV-7
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