ME2306D-G N沟道MOSFET 30V 3.16A SOT-23/SC-59 marking/标记 WF 超低导通电阻/快速切换|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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ME2306D-G N沟道MOSFET 30V 3.16A SOT-23/SC-59 marking/标记 WF 超低导通电阻/快速切换

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型号：ME2306D-G
厂家：松木
批号：11+ 11+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：WF
封装：SOT-23/SC-59
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	3.16A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	37mΩ/Ohm @4A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1.0-3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation	750mW/0.75W
Description & Applications	RDS(ON)≦85mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)≦115mΩ@VGS=2.5V RDS(ON)≦135mΩ@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
描述与应用	超高密度电池设计极低的RD（ON）卓越的导通电阻和最大DC电流能力

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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商品：: ME2306D-G

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