首页
购物车0
库存0件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：2N7002ET1G
  • 厂家：ON
  • 批号：10+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：703
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 260mA/0.26A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.86Ω/Ohm @240mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) High density cell design for low RDS(ON). Suitable for high packing density.
描述与应用 表面贴装 N沟道增强型场效应晶体管 特性 N沟道增强型场效应晶体管 小型表面贴装型。 （SC-70/SOT-323） 高密度单元设计的低漏源导通电阻）。 适用于高包装密度。
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2N7002ET1G
*主题：
详细内容：
*验证码：