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  • 型号：2SK2788VY90TR
  • 厂家：RENESAS
  • 批号：07+
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：VY
  • 封装：SOT-89/UPAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.12Ω/Ohm @1A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Low on-resistance RDS(on)= 0.12 Ω typ (VGS = 10 V, ID = 1 A) Low drive current 4 V gate drive devices
描述与应用硅N沟道MOS FET 高速电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 低导通电阻 RDS（ON）=0.12Ω典型（VGS=10V，ID= 1） 低驱动电流 4 V门驱动装置
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK2788VY90TR
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