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  • 型号：2SJ506STR
  • 厂家：HITACHI
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：J506
  • 封装：TO-252/DPAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-10A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.065Ω @-5A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.0--2.0V
耗散功率PdPower Dissipation20W
Description & ApplicationsFeatures • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ω typ. (at VGS = –10V, ID = 5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices.
描述与应用•低导通电阻 RDS（ON）=0.065Ω（典型值）。 VGS=10V，ID=-5A） •低驱动电流 •高速开关 •4V栅极驱动装置
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SJ506STR
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