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  • 型号：MTM86227
  • 厂家：Panasonic
  • 批号：09+NOPB 09+NOPB
  • 整包数量：10000
  • 最小起批量：100
  • 标记/丝印/代码/打字：JF
  • 封装：SOT-563/ES6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current2.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.105Ω/Ohm @4A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation540mW/0.54W
Description & Applications• Avalanche Energy Specified • Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode • Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits • IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature • Replaces MTD6N10
描述与应用•雪崩能量 •源漏二极管恢复时间等同于 离散快速恢复二极管 •二极管的特点是桥电路中使用 •IDSS和VDS（上） 指定高温 •替换MTD6N10
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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MTM86227
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