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  • 型号：MTM78E2B0LBFTR-ND
  • 厂家：Panasonic
  • 批号：09+NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：5A
  • 封装：WMini8-F1
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance36mΩ@ VGS =2.5V, ID =1A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.4~1.3V
耗散功率PdPower Dissipation700mW/0.7W
Description & ApplicationsFor lithium-ion secondary battery protection circuit Feature Dual P-channel MOS FET in one package 2.85V drive Low drain-source ON resistance Eco-friendly Halogen-free package
描述与应用对于锂离子二次电池的保护电路 特点 双P沟道MOS场效应管在一个封装中 2.85V驱动 低漏源导通电阻 环保型无卤素封装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
MTM78E2B0LBFTR-ND
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