TZM5232B-GS18 稳压二极管 5.6V 500mW/0.5W SOD80/LL34-5.6V marking/标记尖锐的反向特性/低反向电流水平/可提供更严格的公差/高稳定性/低噪音|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

TZM5232B-GS18 稳压二极管 5.6V 500mW/0.5W SOD80/LL34-5.6V marking/标记尖锐的反向特性/低反向电流水平/可提供更严格的公差/高稳定性/低噪音

库存0件10起订

购买数量

商品参数

相关型号

商品参数：

型号：TZM5232B-GS18
厂家：VISHAY
批号：04+rohs 04NOPB
整包数量：2500
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：
封装：SOD80/LL34-5.6V
技术文档：下载

额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min.
平均Typ.	5.6V
最大max.
误差Tolerance
最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance	11Ω/ohm
最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current	5uA
最大耗散功率PdPower dissipation	500mW/0.5W
Description & Applications	Silicon ZENER Diodes Very sharp reverse characteristic Very high stability Electrical data identical with the devices 1N5221B...1N5267B Low reverse current level VZ–tolerance ± 5%
描述与应用	硅稳压二极管非常尖锐的反向特性非常高的稳定性？电气与设备相同的数据 1N5221B1N5267B 低反向电流水平 VZ-公差±5％

规格书PDF

下载

商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
TZMB5V6-GS08 稳压二极管 5.6V 500mW/0.5W SOD80/LL34-5.6V marking/标记尖锐的反向特性/低反向电流水平/高稳定性/低噪音/电压稳定	TZMB5V6-GS08 标记：封装：SOD80/LL34-5.6V	VISHAY	批号：05+ROHS 05+ROHS	2500 10起订
霍尔IC AH175-WLA SOT-23 marking/标记 J56	AH175-WLA 标记：J56 封装：SOT-23	DIODES	批号：06NOPB	1600 10起订
BZD27-C10 稳压二极管 10V 800mW/0.8W sod87/LL35-10V marking/标记 2 高工作温度/低漏电流/优良的稳定性	BZD27-C10 标记：2 封装：SOD87/LL35-10V	NXP/PHILIPS	批号：04+2Knopb 05+	8000 10起订
4mm的方形贴片，单圈，密封的金属陶瓷剪 G43BTB102M 1KΩ/Ohm 5X5-1K marking/标记 102	G43BTB102M 标记：102 封装：5X5-1K	TOCOS	批号：05+ 05+	3 10起订
SI2333DS-T1 P沟道MOS场效应管 -20V -4.7A 0.031ohm SOT-23 marking/标记 E3 功率MOSFET	SI2333DS-T1 标记：E3 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：08NOPB 08NOPB	0 10起订
FDC658P P沟道MOS场效应管 -30V -4A 0.041ohm SOT-163 marking/标记 658	FDC658P 标记：658 封装：SOT-163/SOT23-6	FAIRCHILD	批号：05+ 05+	8500 10起订
BF995A-GS08 N沟道MOSFET 20V 30mA SOT-143 marking/标记 MB 高速开关/低导通电阻	BF995A-GS08 标记：MB 封装：SOT-143	VISHAY	批号：06NOPB 06NOPB	0 10起订
1SMA13AT3G 瞬态抑制二极管TVS/ESD 13V 18.6A 1.5W DO-214AC/SMA-13V 标记RG	1SMA13AT3G 标记：RG 封装：DO-214AC/SMA-13V	ON	批号：06NOPB 06+ROHS	330000 10起订

在线询价：

* 来自：

寄予：: 深圳市爱瑞凯电子科技有限公司

商品：: TZM5232B-GS18

*主题：

详细内容：

*验证码：