SI2333DS-T1 P沟道MOS场效应管 -20V -4.7A 0.031ohm SOT-23 marking/标记 E3 功率MOSFET|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

SI2333DS-T1 P沟道MOS场效应管 -20V -4.7A 0.031ohm SOT-23 marking/标记 E3 功率MOSFET

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型号：SI2333DS-T1
厂家：VISHAY
批号：08NOPB 08NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：E3
封装：SOT-23/SC-59
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	8V
最大漏极电流IdDrain Current	-4.7A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.031Ω @-4.7A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-0.4V-1.0V
耗散功率PdPower Dissipation	1.25W
Description & Applications	FEATURES TrenchFET Power MOSFET
描述与应用	功率MOSFET

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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