集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
Q1/Q2=9V / 9V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
Q1/Q2=6V / 3V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
Q1/Q2=30MA / 35MA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
Q1/Q2=12GHZ / 20GHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
Q1/Q2=75~150 / 50~100 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
硅NPN型射频晶体管
两种不同的内置晶体管(2 sc5435 2 sc5786)
|
耗散功率Pc
Power Dissipation |
210MW |
描述与应用
Description & Applications |
|
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读 |