请先登录
首页
购物车0
库存1800件100起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：UPA862TD
  • 厂家：NEC
  • 批号：05+
  • 整包数量：10000
  • 最小起批量：100
  • 标记/丝印/代码/打字：Y
  • 封装：SOT-763
  • 技术文档：下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		  Q1/Q2=9V / 9V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		  Q1/Q2=6V / 5.5V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 Q1/Q2=30MA / 100MA
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		  Q1/Q2=12GHZ / 6.5GHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		  Q1/Q2=75~150 / 100~145
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		  
耗散功率Pc
Power Dissipation		  210MW
描述与应用
Description & Applications		  　硅NPN型射频晶体管
　　低电压、低电流操作
　　两种不同的死亡类型:
　　Q1 -理想的缓冲放大器晶体管
　　Q2 -理想晶体管振荡器
 
技术文档PDF下载 在线阅读
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
UPA862TD
*主题：
详细内容：
*验证码：