集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
Q1/Q2=9V/9V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
Q1/Q2=6V/6V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
Q1/Q2=30MA/100MA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
Q1/Q2=12GHZ/9GHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
Q1/Q2=75~150/80~160 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
Q1/Q2= |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
NPN型硅外延双晶体管
两个不同的模具类型:
Q1 -理想晶体管振荡器
Q2 -理想的缓冲放大器晶体管
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描述与应用
Description & Applications |
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