请先登录
首页
购物车0
库存53000件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：TBB1002BMTL
  • 厂家：RENESAS
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：BM
  • 封装：SOT-363
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage 6V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage  
最大漏极电流IdDrain Current 30MA
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance  
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage  
耗散功率PdPower Dissipation 250MW/0.25W
Description & Applications * Twin Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier. * Small SMD package CMPAK-6 built in twin BBFET; To reduce using parts cost & PC board space. * Suitable for World Standard Tuner RF amplifier. * Very useful for total tuner cost reduction. * Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200 V at C = 200 pF, Rs = 0 conditions. * Provide mini mold packages; CMPAK-6.
描述与应用 * 双内置偏置电路MOS FET的集成电路VHF/ UHF射频放大器。 * 小SMD封装CMPAK-6内置双BBFET;要降低零部件的成本与PC板空间。 * 适用于世界标准调谐器RF放大器。 * 总的调谐器成本降低非常有用的。 * 耐ESD;内置ESD吸收二极管。承受高达200 V C = 200 PF，RS=0条件。 * 提供小型模具包; CMPAK-6。
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
TBB1002BMTL
*主题：
详细内容：
*验证码：