请先登录
首页
购物车0
库存18000件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：TBB1008HMTL-E
  • 厂家：RENESAS
  • 批号：04+NOPB 04+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：HM
  • 封装：SOT-363
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		  6V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		  
最大漏极电流Id
Drain Current		  30MA
源漏极导通电阻Rds(on)
FET Drain-Source On-State Resistance		  
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		  
耗散功率Pd
Power Dissipation		  
描述与应用
Description & Applications		  双偏置电路MOS场效应晶体管集成电路造成的
　　甚高频/超高频射频放大器
 
技术文档PDF下载 在线阅读
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
TBB1008HMTL-E
*主题：
详细内容：
*验证码：