SI5903DC-T1-E3 复合场效应管 -20V -2.1A 1206-8/vs-8 marking/标记 DAFAA|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

SI5903DC-T1-E3 复合场效应管 -20V -2.1A 1206-8/vs-8 marking/标记 DAFAA

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型号：SI5903DC-T1-E3
厂家：VISHAY
批号：0512NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：DAFAA
封装：1206-8/vs-8/SOT23-8
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	-12V
最大漏极电流IdDrain Current	-2.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	260mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -1.7A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-0.6V
耗散功率PdPower Dissipation	1.1W
Description & Applications	Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
描述与应用	双P沟道2.5-V（G-S）的MOSFET

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