SI1902DL-T1-E3 复合场效应管 20V 660mA/0.66A SOT-363/SC70-6 marking/标记 PAB|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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SI1902DL-T1-E3 复合场效应管 20V 660mA/0.66A SOT-363/SC70-6 marking/标记 PAB

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型号：SI1902DL-T1-E3
厂家：VISHAY
批号：06+ROHS
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：PAB
封装：SOT-363/SC70-6
技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	12V
最大漏极电流IdDrain Current	660mA/0.66A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	630mΩ@ VGS =2.5V, ID =400mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	0.6~1.5V
耗散功率PdPower Dissipation	270mW/0.27W
Description & Applications	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Trench FET Power MOSFET
描述与应用	双N沟道20-V（D-S）的MOSFET 特点 •沟槽FET功率MOSFET

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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