SI2303ADS P沟道MOS场效应管 -30V -1.4mA 0.120ohm SOT-23 marking/标记 3A|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

SI2303ADS P沟道MOS场效应管 -30V -1.4mA 0.120ohm SOT-23 marking/标记 3A

库存0件10起订

购买数量

商品参数

相关型号

商品参数：

型号：SI2303ADS
厂家：VISHAY
批号：03+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：3A
封装：SOT-23/SC-59
技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流IdDrain Current	-1.4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.120Ω @-1.7A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-1--3.0V
耗散功率PdPower Dissipation	750mW/0.75W
Description & Applications	P-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用	P沟道30-V（D-S）的MOSFET

规格书PDF

下载

商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
SI2303BDS P沟道MOS场效应管 -30V -1.4mA 0.150ohm SOT-23 marking/标记 L3	SI2303BDS 标记：L3/A3 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：06+rohs 05+NOPB	640 10起订
SI2303DS P沟道MOS场效应管 -30V -1.7A 0.190ohm SOT-23 marking/标记 A3	SI2303DS 标记：A3/R3 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：05+ 05+	17940 10起订
SI2304BDS-T1-E3 N沟道MOSFET 30V 3.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 L4 低导通电阻/低电压驱动	SI2304BDS-T1-E3 标记：L4 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：5 05+NOPB300	2350 10起订
SI2304BDT1-E3 N沟道MOSFET 30V 3.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 4V 低导通电阻/低电压驱动/高速开关	SI2304BDT1-E3 标记：4V 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：05+	0 10起订
SI2304DS N沟道MOSFET 30V 1.7A SOT-23/SC-59 marking/标记 A4 低导通电阻/低电压驱动/高速开关	SI2304DS 标记：A4 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：05+ 05+NOPB2K	16000 10起订
SI2304DS N沟道MOSFET 30V 1.7A SOT-23/SC-59 marking/标记 P2S 低导通电阻/低电压驱动/高速开关	SI2304DS 标记：P2S/P25 封装：SOT-23/SC-59	NXP/PHILIPS	批号：05+	690 10起订
SI2305DS P沟道MOS场效应管 -8V -3.5A 0.044ohm SOT-23 marking/标记 A5	SI2305DS 标记：A5/R5 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：05+NOPB100 4* 环保的205个，没环保的76+244+55+700+395+268 2020-3-3D	943 10起订
SI2306DS N沟道MOSFET 30V 3.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 A6 低导通电阻	SI2306DS 标记：A6 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：05+ 06+2500pcsrohs	600 10起订

在线询价：

* 来自：

寄予：: 深圳市爱瑞凯电子科技有限公司

商品：: SI2303ADS

*主题：

详细内容：

*验证码：