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  • 型号：RHU002N06
  • 厂家：ROHM
  • 批号：07+12kNOPB 06+NOPB62K
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：KP
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60v
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20v
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.2Ω/Ohm @20A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & Applications4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance. High speed switching. Wide SOA.
描述与应用4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 高速开关。 宽SOA
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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RHU002N06
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