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  • 型号：RK3055ETL
  • 厂家：ROHM
  • 批号：05+
  • 整包数量：2500
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：3055E
  • 封装：TO-252/D-PAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.15Ω/Ohm @4A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation20W
Description & Applications10V Drive Nch MOSFET Silicon N-channel MOSFET Features Low on-resistance. Fast switching speed. Wide SOA (safe operating area). Low-voltage drive. Easily designed drive circuits. Easy to use in parallel.
描述与应用10V驱动N沟道MOSFET 硅N沟道MOSFET 低导通电阻。 开关速度快。 宽安全工作区（SOA） 低电压驱动。 轻松驱动电路设计。 易于并联使用
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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RK3055ETL
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