P01N02LMB N沟道MOSFET 1.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 102B 硅栅高速开关/低驱动|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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P01N02LMB N沟道MOSFET 1.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 102B 硅栅高速开关/低驱动

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商品参数：

型号：P01N02LMB
厂家：NIKO-SEM
批号：03+ 05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：102B
封装：SOT-23/SC-59
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	15V
最大漏极电流Id Drain Current	1.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.22Ω/Ohm @1.2A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.7-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	600mW/0.6W
Description & Applications	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
描述与应用	N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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