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  • 型号：P0903BDG
  • 厂家：NIKO-SEM
  • 批号：06+
  • 整包数量：2000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：P0903BDG
  • 封装：TO-252/D-PAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current50A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance7.5Ω/Ohm @25A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation50W
Description & ApplicationsN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
描述与应用N沟道逻辑电平增强 模式场效应晶体管
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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P0903BDG
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