IRFS1Z3 N沟道MOSFET 2.8A SOT-89 marking/标记 12 低栅极电荷/高速开关/100％雪崩测试|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

请先登录

IRFS1Z3 N沟道MOSFET 2.8A SOT-89 marking/标记 12 低栅极电荷/高速开关/100％雪崩测试

库存1500件10起订

购买数量

商品参数

相关型号

商品参数：

型号：IRFS1Z3
厂家：ROHM
批号：05+
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：12
封装：SOT-89/SC-62/MPT3
技术文档：

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	16V
最大漏极电流Id Drain Current	2.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.14Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1.0-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation	2.1W
Description & Applications	Surface Mount Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance ynamic dv/dt Rating Fast Switching Fully Avalanche Rated
描述与应用	表面贴装先进的工艺技术超低导通电阻动态dv/ dt额定值快速切换

商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
IRLL014NTR N沟道MOSFET 2.8A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 LL04N 低栅极电荷/高速开关/100％雪崩测试	IRLL014NTR 标记：LL04N 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4	IR	批号：05+	0 10起订
IRLML2402TR N沟道MOSFET 1.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 A6	IRLML2402TR 标记：1A/AC/AA/A2/A4/A6 封装：SOT-23/SC-59	IR	批号：06+3krohs 06+ROHS9500	18790 10起订
IRLML2502TR N沟道MOSFET 20V 4.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 G	IRLML2502TR 标记：G 封装：SOT-23/SC-59	IR	批号：06+NOPB7k	4950 10起订
IRLML2803TR N沟道MOSFET 1.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 1B/B4/BB/BD/B6 低导通电阻	IRLML2803TR 标记：1B/B4/BB/BD/B6 封装：SOT-23/SC-59	IR	批号：05+	2750 10起订
IRLML5103TR P沟道MOS场效应管 -760mA 0.60ohm SOT-23 marking/标记 1D/D 快速开关	IRLML5103TR 标记：1D/D 封装：SOT-23/SC-59	IR	批号：05+NOPB2200	3278 10起订
IRLML6302 P沟道MOS场效应管 -780mA 0.60ohm SOT-23 marking/标记 1CKU 超低导通电阻低栅极电荷	IRLML6302 标记：1CKU/CA/CB/CC/C1/1C/CE/CF/CG 封装：SOT-23/SC-59	IR	批号：06+1rnopb 05+rohs8700	204950 10起订
IRLML6401TR P沟道MOS场效应管 -430mA 0.050ohm SOT-23 marking/标记 F1/F3/F4/F5/F6/FB/FE 超低导通电阻薄型封装	IRLML6401TR 标记：F1/F3/F4/F5/F6/FB/FE 封装：SOT-23/SC-59	IR	批号：05+NOPB1500	2845 10起订
IRLML6402TR P沟道MOS场效应管 -3.7A 0.065ohm SOT-23 marking/标记 EC/E4/E1/EB/E7/E3 超低导通电阻薄型封装	IRLML6402TR 标记：EC/E4/E1/EB/E7/E3 封装：SOT-23/SC-59	IR	批号：05+NOPB1200	2000 10起订

在线询价：

* 来自：

寄予：: 深圳市爱瑞凯电子科技有限公司

商品：: IRFS1Z3

*主题：

详细内容：

*验证码：