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  • 型号：IRLML5103TR
  • 厂家：IR
  • 批号：05+NOPB2200
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：1D/D
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-760mA/-0.76A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.60Ω @-600mA,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.0V
耗散功率PdPower Dissipation540mW/0.54W
Description & ApplicationsHEXFET POWER MOSFET dynamic avalanche rated surface mount straight lead available in tape&reel p-channel fast switching
描述与应用HEXFET功率MOSFET 动态额定雪崩 表面贴装 直导致 可在磁带和卷轴 p-沟道 快速切换
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
IRLML5103TR
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