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  • 型号：HN7G03FU-B
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：03+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：8B
  • 封装：SOT-363/US6/SC-88
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source VoltageMOSFET N-Channel
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current10V
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance100mA/0.1A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage4Ω@ VGS = 2.5V, ID =10mA
耗散功率PdPower Dissipation50ms@VDS=3V，Id=10mA
Description & Applications
描述与应用0.7V~1.3V
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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HN7G03FU-B
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