集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V / 20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
8V / 12V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
15mA / 80mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
10GHZ / 7GHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50~160 / 80~240 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.1W |
描述与应用
Description & Applications |
特点 •东芝晶体管的硅NPN外延型 •两个设备都建在到超薄和极端超迷你（6针）包装：ES6的 2SC5096+2SC5086 |
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