集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-55V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-150MA/-0.15A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
180MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
160~600 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-0.4V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
200MW/0.2W |
描述与应用
Description & Applications |
特点 •PNP平面外延硅复合晶体管 •低频通用放大器。 •复合型2个晶体管，在CP包装目前在使用，大大提高了安装效率 •FC101两个芯片组成，相当于2SA1622，放置在一个包装 |
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