集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
55V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150MA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
160~600 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.4V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.2W |
描述与应用
Description & Applications |
特点•NPN平面外延硅复合晶体管•低频通用放大器。•复合型2个晶体管，在CP包装目前在使用，大大提高了安装效率•FC104两个芯片组成，相当于2SC4211，放置在一个包装 |
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