| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 30V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 2A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 150MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 200~400 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 180mV/0.18V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 1.3W |
| Description & Applications | Features · Adoption of FBET, MBIT processes. · High current capacitance. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · High-speed switching. · Ultrasmall package permitting applied sets to be made small and slim (0.9mm). · High allowable power dissipation. Applications · DC-DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. · High-Current Switching Applications |
| 描述与应用 | 特点 ·采用FBET，MBIT过程。 ·高电流容量。 ·低集电极 - 发射极饱和电压。 ·高速开关。 ·超包允许应用套小和超薄（0.9毫米）。 ·高允许功耗。 应用 ·DC-DC转换器，继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪光灯。 ·高电流开关应用 |