| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 30V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 800mA/0.8A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 250MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 100~300 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.6V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | NPN switching transistors FEATURES High current (max. 800 mA) Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS Switching and linear applications |
| 描述与应用 | NPN开关晶体管 特点 高电流（最大800毫安） 低电压（最大40 V）。 应用 开关和线性应用 |