BSH112 N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK1 防止过高的输入电压浪涌门和源之间的集成二极管|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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BSH112 N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK1 防止过高的输入电压浪涌门和源之间的集成二极管

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型号：BSH112
厂家：NXP/PHILIPS
批号：06+ROHS 06NOPB65RM
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：wk1
封装：SOT-23/SC-59
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	15V
最大漏极电流Id Drain Current	300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation	830mW/0.83W
Description & Applications	TrenchMOS™ technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package Gate-source ESD protection diodes
描述与应用	开关速度非常快逻辑电平兼容超小型表面贴装封装门源的ESD保护二极管

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
BSH201 P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 2.1ohm SOT-23 marking/标记 WJ6 低开启电压快速开关	BSH201 标记：WJ6 封装：SOT-23/SC-59	NXP/PHILIPS	批号：07NOPB	140 10起订
BSH202 P沟道MOS场效应管 -30V -520mA 0.63ohm SOT-23 marking/标记 PJ7 低开启电压快速开关	BSH202 标记：PJ7/wj7 封装：SOT-23/SC-59	NXP/PHILIPS	批号：05+ 05+	90 10起订
BSH203 P沟道MOS场效应管 -30V -470mA 0.66ohm SOT-23 marking/标记 PJ8 低开启电压快速开关	BSH203 标记：WJ8 封装：SOT-23/SC-59	NXP/PHILIPS	批号：13+ROHS	6000 10起订
BSH205 P沟道MOS场效应管 -12V -750mA 0.18ohm SOT-23 marking/标记 JO 低开启电压快速开关	BSH205 标记：JO 封装：SOT-23/SC-59	NXP/PHILIPS	批号：05+NOPB 04+ROHS	3000 10起订
BSH207 P沟道MOS场效应管 -12V -152mA 0.08ohm SOT-163 marking/标记 A1 低开启电压快速开关	BSH207 标记：A1 封装：SOT-163/SOT23-6	NXP/PHILIPS	批号：04+ 05+NOPB	18200 10起订
BSL211SP P沟道场效应管 -20V -4.7A SOT163 MARKING PB 增强模式 OptiMOS-P小信号晶体管	BSL211SP 标记：PB 封装：SOT-163	INFINEON	批号：06NOPB2200	5500 10起订
BSN20 N沟道MOSFET 50V 173mA/0.173A SOT-23/SC-59 marking/标记 M8 甚高频应用	BSN20 标记：M8 封装：SOT-23/SC-59	NXP/PHILIPS	批号：07NOPB 07NOPB	2700 10起订
BSN20W N沟道MOSFET 50V 173mA/0.173A SOT-23/SC-59 marking/标记 8H0 甚高频应用	BSN20W 标记：8H0 封装：SOT-23/SC-59	NXP/PHILIPS	批号：05+	0 10起订

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商品：: BSH112

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