BF994S N沟道MOSFET 20V 30mA SOT-143 marking/标记 MG 高速开关/低导通电阻|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

BF994S N沟道MOSFET 20V 30mA SOT-143 marking/标记 MG 高速开关/低导通电阻

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型号：BF994S
厂家：NXP/PHILIPS
批号：05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：MG
封装：SOT-143
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current	30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	200mW/0.2W
Description & Applications	Silicon N Channel MOSFET Tetrode For VHF applications, especially for input and mixer stages with a wide tuning range.
描述与应用	硅N沟道MOSFET四极管对于甚高频（VHF）的应用程序，特别是对于具有宽调谐范围的输入和混频器的阶段。

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
小功率电感 LQH32CN2R2M01L 2.2UH 3225-2R2M	LQH32CN2R2M01L 标记：封装：3225-2R2M	MURATA	批号：05+ 05+	86000 10起订
PLP31DN471SL4L00-002(DLP31DN471SL4L) 共模电感 4(0603)	PLP31DN471SL4L00-002(DLP31DN471SL4L) 标记：封装：4(0603)	MURATA	批号：06+NOPB 04+ROHS	2900 10起订
MA2Z00100L 开关二极管 200V 100mA/0.1A SOD-323 marking/标记 1K 高击穿电压	MA2Z00100L 标记：1K 封装：SOD-323	Panasonic	批号：04+9KNOPB 05+	518 10起订
HZC9.1TRF 稳压二极管 9.1V 150mW/0.15W UFP/SOD523/0603-9.1V marking/标记 91	HZC9.1TRF 标记：91 封装：UFP/SOD523/0603-9.1V	RENESAS	批号：07NOPB3990	7600 10起订
02CZ9.1-Z 稳压二极管 9.1V 200mW/0.2W SOT23-9.1v marking/标记 9.1z 恒压调节/基准电压	02CZ9.1-Z 标记：9.1z 封装：SOT23-9.1v	TOSHIBA	批号：11+ROHS30K 11+ROHS39K	75000 10起订
3mm的方形贴片，单圈密封的金属陶瓷剪 G31ATB501M 500Ω/Ohm 3X3-500R marking/标记 501	G31ATB501M 标记：501 封装：3X3-500R	tocos	批号：05+ 05+	600 10起订
8个电阻排阻 CND2B10VTEJ561 560ΩOhm 5(1206)-560R marking标记561	CND2B10VTEJ561 标记：561 封装：5(1206)-560R	KOA	批号：05+	3800 10起订
RD7.5UM 稳压二极管 7.5V 200mW/0.2W SOD523/0603-7.5V marking/标记 B3 恒定电压/恒定电流/浪涌吸收器	RD7.5UJ 标记：N1 封装：SOD523/0603-7.5V	NEC	批号：05+ 05+	0 10起订

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