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  • 型号：BF2030
  • 厂家：INFINEON
  • 批号：04+NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：ND
  • 封装：SOT-143
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage8V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage6V
最大漏极电流Id Drain Current10mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.3V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 5V
描述与应用硅N沟道MOSFET四极管 •低噪声，高增益控制 高达1GHz的输入阶段 •工作电压5V
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BF2030
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