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  • 型号：BF1005R
  • 厂家：SIEMENS
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：MZ
  • 封装：SOT-143
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 8V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 3V
最大漏极电流Id Drain Current 25mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance  
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 8-12/8-13V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz • Operating voltage 5V • Integrated biasing network
描述与应用 硅N沟道MOSFET四极管 •低噪声，高增益控制 高达1 GHz的输入级 •工作电压5V •集成偏置网络
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BF1005R
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