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  • 型号：BF1102R
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：05+nopb 04NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：W2
  • 封装：SOT-363/SC70-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage7V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage6~15V/6~15V
最大漏极电流IdDrain Current40mA
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.3~1V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsDual N-channel dual gate MOS-FETs FEATURES Two low noise gain controlled amplifiers in a single package Specially designed for 5 V applications Superior cross-modulation performance during AGC High forward transfer admittance High forward transfer admittance to input capacitance ratio. APPLICATIONS Gain controlled low noise amplifier for VHF and UHF applications such as television tuners and professional communications equipment.
描述与应用双N沟道双栅MOS场效应管 特点 两个低噪声增益控制放大器，在一个单一的 包 特别设计的5 V应用 高级交叉调制性能在AGC 高正向转移导纳 高正向转移导纳输入电容比。 应用 增益控制的低噪声放大器的VHF和UHF应用如电视调谐器和专业的通信设备。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BF1102R
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